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数量:2176 |
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规格书 |
PN100/A, MMBT100/A |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 20mA, 200mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 50nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 300 @ 10mA, 1V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 250MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 250MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 20mA, 200mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 50nA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
封装 | Bulk |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 300 @ 10mA, 1V |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 300 |
直流电流增益hFE最大值 | 600 |
单位重量 | 0.007090 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.5 A |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
最大功率耗散 | 625 mW |
系列 | PN100A |
集电极 - 基极电压VCBO | 75 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.5 A |
集电极 - 基极电压 | 75 V |
集电极 - 发射极电压 | 45 V |
发射极 - 基极电压 | 6 V |
频率(最大) | 250 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
安装 | Through Hole |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
引脚数 | 3 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 240 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 250 MHz |
集电极电流(DC ) | 0.5 A |
直流电流增益 | 240 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
长度 | 5.2 mm |
身高 | 5.33 mm |
Pd - Power Dissipation | 625 mW |
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